电子行业：华安证券-电子行业点评：存储厂国产化程度进一步提升，华为 UCM 提升先进存储使用效率-250820

- 中国存储厂商首次全面导入自研本土EDA工具，提升国产化程度，推动产业自主化进程。

- 华为推出UCM技术，通过软件优化提升存储使用效率，补偿硬件限制，增强本土AI能力。

- 长鑫存储和长江存储的崛起推动国产存储芯片的技术进步与市场份额增长，降低对进口依赖。

- 相关公司包括精智达、兆易创新等，需关注下游需求及国产技术迭代风险。

该投资报告主要讨论了中国电子行业，特别是存储领域的国产化进程及其技术创新。

1. **国产化提升**：中国存储厂商开始全面采用自研本土EDA工具，这标志着在Flash和DRAM的量产设计环节实现自主化，降低对国际EDA厂商的依赖。

2. **华为UCM技术**：华为推出的UCM（Unified Cache Manager）通过软件优化提升存储使用效率，显著减少延迟并提高吞吐率，旨在更有效地利用有限的硬件资源。

3. **国家安全与自主创新**：国家安全部强调科技自主创新的重要性，以增强国家安全和保障重点领域的安全。

长鑫存储和长江存储的崛起对国内存储产业和半导体行业产生了深远影响。

4. **市场前景**：长鑫存储预计将大幅增加产能，并逐步向DDR5/LPDDR5过渡；长江存储则在3DNAND技术上取得进展，推动技术升级。

5. **相关公司**：提到了一些相关的国产存储产业链公司，如精智达、兆易创新等。

6. **风险提示**：包括下游需求不及预期、国产大模型迭代缓慢、制裁风险、算力基础设施建设不足等。

整体来看，中国存储行业正朝着自主化和技术创新的方向发展，未来前景值得关注。

投资标的包括： 1. 华大九天 2. 长鑫存储 3. 长江存储 4. 精智达 5. 兆易创新 6. 神工股份 7. 上海新阳 8. 江波龙 9. 佰维存储 推荐理由： 1. 华大九天：开发了全流程EDA工具，支持DRAM和NAND Flash的量产设计，推动国产化进程，降低对国际EDA厂商的依赖。

2. 长鑫存储：在DRAM内存市场扩产，预计产能同比增长近50%；技术上加速向DDR5/LPDDR5过渡，市场份额提升。

3. 长江存储：成功实现294层3D NAND量产，推进300层NAND开发，采用自研技术提升产品密度，技术实力不断增强。

4. 精智达、兆易创新等：作为国产存储产业链相关公司，受益于国内存储市场的快速发展和技术创新。

整体来看，国产存储厂商的崛起和技术进步，提升了我国在全球半导体产业链中的地位，降低了对进口存储芯片的依赖，具有重要的国家安全意义。