1. HBM是AI时代的必需品,解决了传统GDDR的内存墙问题,具有高带宽、低功耗、高效传输等性能,成为高算力芯片的首选。
2. HBM核心技术在硅通孔和堆叠键合技术,对封装技术和散热材料提高需求,预计产值有望翻4倍达到169亿美元。
3. HBM产能扩张将推动主流DRAM持续涨价,存储模组公司有望受益,而存储大厂产能转向DDR5/HBM,有望加速退出利基存储市场,为国内利基存储芯片厂商带来发展机会。
核心要点2HBM是AI时代的必需品,解决了传统GDDR遇到的“内存墙”问题,具有高带宽、低功耗、高效传输等性能,对AI需求强劲,预计产值将大幅增长。
投资方向一:关注国内与HBM上下游相关产业链厂商;方向二:HBM对DRAM先进制程造成排挤效应,有望推动主流DRAM持续涨价,重点关注存储模组;方向三:存储大厂产能转向DDR5/HBM,有望加速退出利基存储市场,关注国内利基存储厂商。
建议持续看好HBM相关产业链公司,和受益于存储器涨价的模组及利基存储芯片公司。
风险提示包括产能扩产不及预期、AI发展不及预期、技术提升不及预期等。
投资标的及推荐理由投资标的:香农芯创、联瑞新材、通富微电、兆易创新、江波龙 推荐理由:这些公司是HBM相关产业链公司,受益于HBM的发展和存储器涨价的模组及利基存储芯片公司,有望加速发展。