1. 三星电子重启NAND设备投资,显示对市场恢复的信心,NAND颗粒市场价格小幅波动。
2. 三星1bDRAM正顺利量产,DRAM颗粒价格小幅波动,预计2025年开发出4FSquareDRAM的初始样品。
3. SK海力士确定HBM4基础裸片工艺,产业链有望迎来加速成长,存储芯片产业链有望探底回升。
核心要点2三星电子重启NAND设备投资,显示对市场恢复的信心;DRAM价格小幅波动,1bDRAM正顺利量产;SK海力士确定HBM4基础裸片工艺,与台积电合作;渠道和行业SSD价格保持稳定;投资建议看好HBM产业链和存储芯片产业链。
风险提示包括中美贸易摩擦加剧和下游需求不及预期。
投资标的及推荐理由投资标的及推荐理由: 1. HBM产业链:受益于算力芯片提振HBM需求,建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等。
2. 存储芯片产业链:受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI带动HBM、SRAM、DDR5需求上升,产业链有望探底回升。
推荐东芯股份,建议关注恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利、深科技等。